90％純度碳納米管水平陣列

材料簡介：開發出一種利用碳納米管與催化劑對稱性匹配的外延生長的全新方法，通過對碳管成核效率的熱力學控制和生長速度的動力學控制，實現了結構為手性指數（2m,m）類碳納米管陣列的富集生長。

技術優勢：用固體碳化物催化劑能合成出特定結構的碳納米管，理論預測，這種方法純度可達99％。

材料應用：碳納米管（CNTs）因其優越的力學、電學和熱學性能，被認為最有潛力取代硅用于下一代微電子器件，相同結構的半導體性碳納米管水平陣列非常適合用來生產碳納米管晶體管。